Número do Produto do Fabricante:
FQPF55N10
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQPF55N10-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 34.2A TO220F
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 34.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventário:
12839757
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FQPF55N10 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
34.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 17.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F-3
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
FQPF5
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FDZ191P_P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
FDD5612
MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3
FDD6632
MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK