Número do Produto do Fabricante:
FQP3N50C-F080
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQP3N50C-F080-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 1.8A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12837155
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FQP3N50C-F080 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
365 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
62W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FQP3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
FQP3N50C-F080-DG
FQP3N50C_F080-DG
2832-FQP3N50C-F080-488
FQP3N50C-F080OS
FQP3N50C_F080
2832-FQP3N50C-F080
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTP1R6N50D2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXTP1R6N50D2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.55
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FDS8449-F085
MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC
HUFA76413D3ST
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
FQAF6N80
MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF
