Número do Produto do Fabricante:
FQP2N60C
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQP2N60C-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12850836
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FQP2N60C Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
235 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
54W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FQP2
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FAIFSCFQP2N60C
FQP2N60C-DG
2156-FQP2N60C-OS
FQP2N60CFS
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFBC20PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7738
NÚMERO DA PEÇA
IRFBC20PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.47
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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