Número do Produto do Fabricante:
FQP19N10L
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQP19N10L-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12838940
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FQP19N10L Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
870 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FQP1
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FQB7N65CTM
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
FDME910PZT
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
