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Perguntas Frequentes
Número do Produto do Fabricante:
FQD9N08TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQD9N08TM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
RFQ Online
12923728
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ENVIAR
FQD9N08TM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
FQD9
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
FQD9N08TM
Folha de Dados HTML
FQD9N08TM-DG
Informação Adicional
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFR120TRPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2529
NÚMERO DA PEÇA
IRFR120TRPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.54
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IRFR120NTRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
27902
NÚMERO DA PEÇA
IRFR120NTRPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.34
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IRLR120TRPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4781
NÚMERO DA PEÇA
IRLR120TRPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.55
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
STD6NF10T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4791
NÚMERO DA PEÇA
STD6NF10T4-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.38
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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