Número do Produto do Fabricante:
FQB9N08LTM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQB9N08LTM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12836504
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FQB9N08LTM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 4.65A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
280 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
FQB9
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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