Número do Produto do Fabricante:
FQB630TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQB630TM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.13W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12926835
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FQB630TM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.13W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
FQB6
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RCJ120N20TL
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
33
NÚMERO DA PEÇA
RCJ120N20TL-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.44
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IRL630STRLPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IRL630STRLPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
HUF76609D3S
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
MMBF170LT1
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
SFT1345-H
MOSFET P-CH 100V 11A TP
