Número do Produto do Fabricante:
FQB5N60CTM-WS
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQB5N60CTM-WS-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
763 Pcs Novo Original Em Estoque
12847384
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FQB5N60CTM-WS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Cut Tape (CT)
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
FQB5N60
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2832-FQB5N60CTM-WS-488
FQB5N60CTM-WSDKR
FQB5N60CTM_WSDKR-DG
FQB5N60CTM_WSCT
FQB5N60CTM-WSCT
FQB5N60CTM_WSCT-DG
FQB5N60CTM_WS
FQB5N60CTM_WSTR
FQB5N60CTM-WSTR
FQB5N60CTM_WSDKR
FQB5N60CTM_WSTR-DG
2832-FQB5N60CTM-WSTR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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