Número do Produto do Fabricante:
FQB22P10TM-F085
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQB22P10TM-F085-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12848513
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FQB22P10TM-F085 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.75W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
FQB2
Informação Adicional
Outros nomes
FQB22P10TM_F085TR
FQB22P10TM_F085DKR
FQB22P10TM_F085DKR-DG
FQB22P10TM_F085CT-DG
FQB22P10TM_F085
FQB22P10TM_F085CT
FQB22P10TM-F085DKR
FQB22P10TM-F085CT
FQB22P10TM-F085TR
FQB22P10TMF085
FQB22P10TM_F085TR-DG
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FQB22P10TM
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
FQB22P10TM-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.79
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
NÚMERO DA PEÇA
IRF9540NSTRLPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4795
NÚMERO DA PEÇA
IRF9540NSTRLPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.75
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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