Número do Produto do Fabricante:
FQB19N20TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQB19N20TM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 19.4A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
2296 Pcs Novo Original Em Estoque
12848453
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FQB19N20TM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
FQB19N20
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FQB19N20TM-DG
FQB19N20TMCT
FQB19N20TMTR
FQB19N20TMDKR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
AOW2918
MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262
FDMS7660
MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN
NVMFS6B14NLT3G
MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
