Número do Produto do Fabricante:
FQB13N06LTM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQB13N06LTM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 13.6A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12846863
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FQB13N06LTM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.75W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
FQB1
Informação Adicional
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STB16NF06LT4
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1500
NÚMERO DA PEÇA
STB16NF06LT4-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.57
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FQN1N60CTA
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
AO3420
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L
FDMC3612
MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
