Número do Produto do Fabricante:
FQA10N80C-F109
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQA10N80C-F109-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
12838452
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FQA10N80C-F109 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2800 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
240W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
FQA10
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
ONSONSFQA10N80C-F109
FQA10N80C_F109FS-DG
FQA10N80C_F109
FQA10N80C_F109-DG
FQA10N80CF109
2156-FQA10N80C-F109-OS
FQA10N80C_F109FS
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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