FDY100PZ-G
Número do Produto do Fabricante:

FDY100PZ-G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FDY100PZ-G-DG

Descrição:

MOSFET P-CH SC89
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 350mA (Ta) 446mW (Ta) Surface Mount SOT-523F

Inventário:

12976025
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

FDY100PZ-G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
PowerTrench®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
100 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
446mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-523F
Pacote / Estojo
SC-89, SOT-490

Informação Adicional

Outros nomes
488-FDY100PZ-GTR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
onsemi

FCB099N65S3

MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3

onsemi

NTBS9D0N10MC

MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263

toshiba-semiconductor-and-storage

TK090Z65Z,S1F

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L

vishay-siliconix

SIDR510EP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE