FDS8813NZ
Número do Produto do Fabricante:

FDS8813NZ

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FDS8813NZ-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 18.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

69179 Pcs Novo Original Em Estoque
12847562
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

FDS8813NZ Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 18.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4145 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
FDS8813

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
FDS8813NZDKR
ONSONSFDS8813NZ
FDS8813NZTR
2156-FDS8813NZ-OS
FDS8813NZCT
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
onsemi

NTD5C688NLT4G

MOSFET N-CH 60V 7.5A/17A DPAK

onsemi

CPH3348-TL-W

MOSFET P-CH 12V 3A 3CPH

onsemi

NTHL190N65S3HF

MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3

onsemi

FCPF400N80ZL1

MOSFET N-CH 800V 11A TO220F