FDS6690A

Número do Produto do Fabricante:

FDS6690A

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FDS6690A-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

Descrição Detalhada:

N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

4652 Pcs Novo Original Em Estoque

12846791

Solicitar Orçamento

Quantidade
Mínimo 1

(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

ENVIAR

FDS6690A Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

PowerTrench®

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

30 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

11A (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 11A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

3V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

16 nC @ 5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1205 pF @ 15 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

2.5W (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

8-SOIC

Pacote / Estojo

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número do produto base

FDS6690

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

FDS6690ACT

FDS6690ADKR

FDS6690ATR

2832-FDS6690A

Pacote padrão

2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produtos Relacionados

onsemi

HUFA75639S3ST-F085A

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

onsemi

HUFA76639S3S

MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

onsemi

FDMA86551L

MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET

onsemi

FQPF4N90C

MOSFET N-CH 900V 4A TO220F