Número do Produto do Fabricante:
FDS5170N7
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDS5170N7-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 10.6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventário:
12840443
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FDS5170N7 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
PowerTrench®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10.6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2889 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO FLMP
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Número do produto base
FDS51
Informação Adicional
Outros nomes
FDS5170N7_NL
FDS5170N7DKR
FDS5170N7_NLCT
FDS5170N7_NLTR
FDS5170N7CT
FDS5170N7_NLCT-DG
FDS5170N7CT-NDR
FDS5170N7_NLTR-DG
FDS5170N7TR
FDS5170N7TR-NDR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
NTK3134NT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723
FDMS0306S
INTEGRATED CIRCUIT
HUF76009D3ST
MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
