Número do Produto do Fabricante:
FDP51N25
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDP51N25-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12848405
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FDP51N25 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
UniFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3410 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
320W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FDP51
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FDP51N25-OS
ONSONSFDP51N25
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTP50N25T
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
533
NÚMERO DA PEÇA
IXTP50N25T-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.35
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PREÇO UNITÁRIO
2.17
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PREÇO UNITÁRIO
1.36
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PREÇO UNITÁRIO
3.18
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PREÇO UNITÁRIO
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