Número do Produto do Fabricante:
FDP039N08B-F102
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDP039N08B-F102-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
422 Pcs Novo Original Em Estoque
12838177
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FDP039N08B-F102 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9450 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FDP039
Informação Adicional
Outros nomes
FDP039N08B_F102
FDP039N08B_F102-DG
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK65E10N1,S1X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1055
NÚMERO DA PEÇA
TK65E10N1,S1X-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.16
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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