Número do Produto do Fabricante:
FDMS4D0N12C
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDMS4D0N12C-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 120 V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventário:
4063 Pcs Novo Original Em Estoque
12847102
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FDMS4D0N12C Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
120 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18.5A (Ta), 114A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 370A
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6460 pF @ 60 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.7W (Ta), 106W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PQFN (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
FDMS4
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FDMS4D0N12COSDKR
FDMS4D0N12C-DG
FDMS4D0N12COSTR
FDMS4D0N12COSCT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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