FDD86367
Número do Produto do Fabricante:

FDD86367

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FDD86367-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventário:

40875 Pcs Novo Original Em Estoque
12838752
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

FDD86367 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4840 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
227W (Tj)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
FDD863

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
FDD86367-DG
FDD86367OSCT
FDD86367OSDKR
FDD86367OSTR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
onsemi

HUFA76443S3S

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

onsemi

HUF75645S3ST

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

onsemi

FQP24N08

MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3

onsemi

FQP3N40

MOSFET N-CH 400V 2.5A TO220-3