Número do Produto do Fabricante:
FDD86081-F085
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FDD86081-F085-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 21A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 6.7A (Ta), 21.4A (Tc) 3W (Ta), 31.3W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
12958631
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FDD86081-F085 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.7A (Ta), 21.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31.5mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 36µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
493 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 31.3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
488-FDD86081-F085CT
488-FDD86081-F085TR
488-FDD86081-F085DKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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