Número do Produto do Fabricante:
FCU600N65S3R0
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCU600N65S3R0-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole IPAK
Inventário:
441 Pcs Novo Original Em Estoque
12838412
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FCU600N65S3R0 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
SuperFET® III
Status do produto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 600µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
465 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
54W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
IPAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número do produto base
FCU600
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FCU600N65S3R0OS
2156-FCU600N65S3R0-488
FCU600N65S3R0-DG
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTU8N70X2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
64
NÚMERO DA PEÇA
IXTU8N70X2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.71
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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