Número do Produto do Fabricante:
FCP9N60N
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCP9N60N-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12839192
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FCP9N60N Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
SuperMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1240 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
83.3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FCP9N60
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTP12N65X2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXTP12N65X2-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.28
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1.25
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