Número do Produto do Fabricante:
FCP190N65S3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCP190N65S3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12932494
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FCP190N65S3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
SuperFET® III
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 1.7mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
144W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FCP190
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FCP190N65S3-OS
ONSONSFCP190N65S3
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SIHP22N60E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
SIHP22N60E-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.67
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
129
NÚMERO DA PEÇA
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PREÇO UNITÁRIO
2.95
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
1.99
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXFP22N65X2-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.43
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
39
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PREÇO UNITÁRIO
1.10
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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