Número do Produto do Fabricante:
FCH099N65S3_F155
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCH099N65S3_F155-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
12846774
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FCH099N65S3_F155 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
SuperFET® III
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 3mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2480 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
FCH099
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TSM60NB099PW C1G
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2055
NÚMERO DA PEÇA
TSM60NB099PW C1G-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.18
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