Número do Produto do Fabricante:
FCD4N60TM_WS
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCD4N60TM_WS-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
12847752
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FCD4N60TM_WS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
SuperFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
540 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
FCD4
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FCD4N60TM_WSTR
FCD4N60TM_WSCT
FCD4N60TM_WSDKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK6P65W,RQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
58
NÚMERO DA PEÇA
TK6P65W,RQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.47
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0.50
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
FCD4N60TM
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
10613
NÚMERO DA PEÇA
FCD4N60TM-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.61
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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