Número do Produto do Fabricante:
FCA36N60NF
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCA36N60NF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 34.9A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventário:
12850149
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FCA36N60NF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
FRFET®, SupreMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
34.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4245 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
312W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PN
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
FCA36N60
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
488-FCA36N60NF
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK31J60W,S1VQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
25
NÚMERO DA PEÇA
TK31J60W,S1VQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.32
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
TK31J60W5,S1VQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
25
NÚMERO DA PEÇA
TK31J60W5,S1VQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.54
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
EMH1405-P-TL-H
MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
