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Perguntas Frequentes
Número do Produto do Fabricante:
ECH8619-TL-E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
ECH8619-TL-E-DG
Descrição:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 60V 3A, 2A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Inventário:
RFQ Online
12839860
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ENVIAR
ECH8619-TL-E Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
93mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12.8nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
560pF @ 20V
Potência - Máx.
1.5W
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-ECH
Número do produto base
ECH8619
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
ECH8619-TL-E
Folha de Dados HTML
ECH8619-TL-E-DG
Informação Adicional
Outros nomes
869-1156-1
ECH8619TLE
869-1156-6
869-1156-2
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
QS8M31TR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3630
NÚMERO DA PEÇA
QS8M31TR-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.24
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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