Número do Produto do Fabricante:
2SK4210
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
2SK4210-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Descrição Detalhada:
N-Channel 900 V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Inventário:
12836327
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2SK4210 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PB
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
2SK4210
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
ONSSNY2SK4210
2156-2SK4210-ON
ONSONS2SK4210
2156-2SK4210
Pacote padrão
100
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK9J90E,S1E
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
TK9J90E,S1E-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.07
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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