2SK4177-DL-1E
Número do Produto do Fabricante:

2SK4177-DL-1E

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

2SK4177-DL-1E-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2
Descrição Detalhada:
N-Channel 1500 V 2A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount TO-263-2

Inventário:

12836429
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2SK4177-DL-1E Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
380 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
2SK4177

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
2SK4177-DL-1E-DG
2SK4177-DL-1EOSTR
ONSONS2SK4177-DL-1E
2156-2SK4177-DL-1E
2SK4177-DL-1EOSDKR
2SK4177-DL-1EOSCT
Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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