Número do Produto do Fabricante:
2SK4125-1EX
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
2SK4125-1EX-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 17A TO3P-3L
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 17A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Inventário:
12833658
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2SK4125-1EX Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
610mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TA)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P-3L
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
2SK4125
Informação Adicional
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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