2SK4124-1E
Número do Produto do Fabricante:

2SK4124-1E

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

2SK4124-1E-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 500V 20A TO3P-3L
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 20A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L

Inventário:

12833741
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2SK4124-1E Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
46.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P-3L
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
2SK4124

Informação Adicional

Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IXFQ20N50P3
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
294
NÚMERO DA PEÇA
IXFQ20N50P3-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.40
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
FDA16N50-F109
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
270
NÚMERO DA PEÇA
FDA16N50-F109-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.50
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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