Número do Produto do Fabricante:
2SD863E-AE
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
2SD863E-AE-DG
Descrição:
BIP NPN 1A 50V
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventário:
9000 Pcs Novo Original Em Estoque
12936535
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Mínimo 1
3uq2
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2SD863E-AE Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
onsemi
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
1 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 2V
Potência - Máx.
900 mW
Frequência - Transição
150MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacote de dispositivos do fornecedor
3-MP
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
ONSONS2SD863E-AE
2156-2SD863E-AE
Pacote padrão
2,219
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
Not applicable
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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