Número do Produto do Fabricante:
2SD1145F-AE
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
2SD1145F-AE-DG
Descrição:
BIP NPN 5A 20V
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 5 A 120MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventário:
16000 Pcs Novo Original Em Estoque
12933880
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2SD1145F-AE Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
onsemi
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
5 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
20 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 60mA, 3A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 500mA, 2V
Potência - Máx.
900 mW
Frequência - Transição
120MHz
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacote de dispositivos do fornecedor
3-MP
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-2SD1145F-AE
ONSONS2SD1145F-AE
Pacote padrão
1,401
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
Not applicable
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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