2SC5706-E
Número do Produto do Fabricante:

2SC5706-E

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

2SC5706-E-DG

Descrição:

TRANS NPN 50V 5A TP
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 400MHz 800 mW Through Hole TP

Inventário:

12836842
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2SC5706-E Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
5 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
240mV @ 100mA, 2A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Potência - Máx.
800 mW
Frequência - Transição
400MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
TP
Número do produto base
2SC5706

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
2SC5706-E-DG
2156-2SC5706-E
2SC5706-EOS
Pacote padrão
500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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