Número do Produto do Fabricante:
2SB1167T
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
2SB1167T-DG
Descrição:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 130MHz 1.2 W Through Hole TO-126LP
Inventário:
158205 Pcs Novo Original Em Estoque
12931641
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2SB1167T Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
onsemi
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
PNP
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
3 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
100 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Potência - Máx.
1.2 W
Frequência - Transição
130MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-225AA, TO-126-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-126LP
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-2SB1167T
ONSONS2SB1167T
Pacote padrão
951
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificação DIGI
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