Número do Produto do Fabricante:
2N7002ET1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
2N7002ET1G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventário:
528264 Pcs Novo Original Em Estoque
12834485
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2N7002ET1G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
26.7 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300mW (Tj)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
2N7002
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2N7002ET1G-DG
2N7002ET1GOSDKR
2N7002ET1GOSCT
2832-2N7002ET1G
2156-2N7002ET1G
2N7002ET1GOSTR
ONSONS2N7002ET1G
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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