Número do Produto do Fabricante:
PSMN8R5-100ESFQ
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Número da Peça:
PSMN8R5-100ESFQ-DG
Descrição:
NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 97A (Ta) 183W (Ta) Through Hole I2PAK
Inventário:
1000 Pcs Novo Original Em Estoque
12996758
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PSMN8R5-100ESFQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
97A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3181 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
183W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-PSMN8R5-100ESFQ-954
Pacote padrão
437
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
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