Número do Produto do Fabricante:
PSMN2R0-60ES,127
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Número da Peça:
PSMN2R0-60ES,127-DG
Descrição:
NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventário:
7334 Pcs Novo Original Em Estoque
12972984
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PSMN2R0-60ES,127 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
137 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9997 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
338W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
PSMN2R0
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-PSMN2R0-60ES,127-954
Pacote padrão
214
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
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