Número do Produto do Fabricante:
PSMN070-200P,127
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Número da Peça:
PSMN070-200P,127-DG
Descrição:
NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 35A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
8812 Pcs Novo Original Em Estoque
12996704
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PSMN070-200P,127 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
Bulk
Série
TrenchMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4570 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-PSMN070-200P,127-954
Pacote padrão
268
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
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