Número do Produto do Fabricante:
PMWD19UN,518
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PMWD19UN,518-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
Inventário:
12812285
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PMWD19UN,518 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchMOS™
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
700mV @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1478pF @ 10V
Potência - Máx.
2.3W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSSOP
Número do produto base
PMWD19
Informação Adicional
Outros nomes
934057598518
568-2361-6
PMWD19UN518
PMWD19UN /T3
568-2361-1
568-2361-2
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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