Número do Produto do Fabricante:
PMGD175XN,115
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PMGD175XN,115-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 900mA 390mW Surface Mount 6-TSSOP
Inventário:
12811613
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PMGD175XN,115 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
900mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.1nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
75pF @ 15V
Potência - Máx.
390mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSSOP
Número do produto base
PMGD1
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
NEXNXPPMGD175XN,115
PMGD175XN,115-DG
2156-PMGD175XN,115-DG
2156-PMGD175XN115
2156-PMGD175XN115-NXTR-DG
568-10793-6
568-10793-2
934066754115
568-10793-1
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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