Número do Produto do Fabricante:
PMDXB1200UPE147
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PMDXB1200UPE147-DG
Descrição:
NOW NEXPERIA PMDXB1200UPE SMALL
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 410mA (Ta) 285mW (Ta), 4.03W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6
Inventário:
12947180
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PMDXB1200UPE147 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel
Recurso FET
Standard
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
0.95V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
43.2pF @ 15V
Potência - Máx.
285mW (Ta), 4.03W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-XFDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN1010B-6
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
NEXNXPPMDXB1200UPE147
2156-PMDXB1200UPE147
Pacote padrão
3,852
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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