Número do Produto do Fabricante:
PHX23NQ11T,127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PHX23NQ11T,127-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 110V 16A TO220F
Descrição Detalhada:
N-Channel 110 V 16A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventário:
12811213
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PHX23NQ11T,127 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
TrenchMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
110 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
830 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
41.6W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número do produto base
PHX23
Informação Adicional
Outros nomes
PHX23NQ11T-DG
PHX23NQ11T
934058493127
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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