Número do Produto do Fabricante:
PHE13009/DG,127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PHE13009/DG,127-DG
Descrição:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB
Inventário:
3680 Pcs Novo Original Em Estoque
12947849
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PHE13009/DG,127 Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
12 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
400 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
2V @ 1.6A, 8A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100µA
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
8 @ 5A, 5V
Potência - Máx.
80 W
Frequência - Transição
-
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-220-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
WENNXPPHE13009/DG,127
2156-PHE13009/DG,127
Pacote padrão
912
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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