PHB29N08T,118
Número do Produto do Fabricante:

PHB29N08T,118

Product Overview

Fabricante:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Número da Peça:

PHB29N08T,118-DG

Descrição:

NEXPERIA PHB29N08T - 27A, 75V, 0
Descrição Detalhada:
N-Channel 75 V 27A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventário:

2600 Pcs Novo Original Em Estoque
12996520
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PHB29N08T,118 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
Bulk
Série
TrenchMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
75 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
11V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 14A, 11V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
810 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
88W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
2156-PHB29N08T,118-954
Pacote padrão
638

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
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