Número do Produto do Fabricante:
PH6030L,115
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PH6030L,115-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK56
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventário:
12811996
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PH6030L,115 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
76.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.15V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2260 pF @ 12 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LFPAK56, Power-SO8
Pacote / Estojo
SC-100, SOT-669
Número do produto base
PH60
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
PH6030L T/R-DG
PH6030L T/R
934061643115
954-PH6030L115
Pacote padrão
1,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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