Número do Produto do Fabricante:
PDTC115EMB,315
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Número da Peça:
PDTC115EMB,315-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.02A 3DFN
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 20 mA 230 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Inventário:
189658 Pcs Novo Original Em Estoque
12947437
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PDTC115EMB,315 Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
20 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
100 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
100 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA
Frequência - Transição
230 MHz
Potência - Máx.
250 mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-101, SOT-883
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN1006B-3
Número do produto base
PDTC115
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
NEXNEXPDTC115EMB,315
2156-PDTC115EMB,315-NEX
Pacote padrão
11,225
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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