Número do Produto do Fabricante:
PDTC114ET215
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Número da Peça:
PDTC114ET215-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
Inventário:
12947774
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PDTC114ET215 Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
10 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA
Frequência - Transição
230 MHz
Potência - Máx.
250 mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT23-3 (TO-236)
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-PDTC114ET215-NXP
NEXPHIPDTC114ET215
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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