PDTB113EU,115
Número do Produto do Fabricante:

PDTB113EU,115

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

PDTB113EU,115-DG

Descrição:

TRANS PREBIAS
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 140 MHz 300 mW Surface Mount SC-70

Inventário:

12947392
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PDTB113EU,115 Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
500 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
1 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
1 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
33 @ 50mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Frequência - Transição
140 MHz
Potência - Máx.
300 mW
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-70, SOT-323
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-70

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
NEXNXPPDTB113EU115
2156-PDTB113EU,115
Pacote padrão
8,036

Classificação Ambiental e de Exportação

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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